介質層時變擊穿

時變擊穿，Time-Dependent Dielectric Breakdown（TDDB）

即是與時間有關的一種電介質的擊穿現象。

對於微電子技術中採用的氧化層而言，時變擊穿是薄氧化層所具有的一種電擊穿特性；這種擊穿與陷阱俘獲穿越氧化層的電荷、並引起氧化層的損傷有關；這種時變擊穿可用達到擊穿的時間——氧化層壽命來表征。